三星电子开始采用EUV技术批量生产14纳米DRAM芯片

10月12日消息,据外媒报道,全球最大存储芯片制造商三星电子周二宣布,该公司开始使用极紫外光刻(EUV)技术批量生产业界最小的14纳米DRAM芯片,这有助于其巩固在存储行业的领导地位。继去年3月出货业界首款EUVDRAM之后,三星电子已将EUV层的数量增加到5层,为

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  10 月 12 日消息,据外媒报道,全球最大存储芯片制造商三星电子周二宣布,该公司开始使用极紫外光刻(EUV)技术批量生产业界最小的 14 纳米 DRAM 芯片,这有助于其巩固在存储行业的领导地位。

  继去年 3 月出货业界首款 EUV DRAM 之后,三星电子已将 EUV 层的数量增加到 5 层,为其 DDR5 解决方案提供当今最精细、最先进的 DRAM 生产工艺。

  DDR5 是下一代 DRAM 标准,与 DDR4 相比,它具有速度快、密度高、功耗低的特点。它还针对大数据、人工智能(AI)和机器学习等数据密集型应用进行了优化。

  三星电子表示,EUV 技术减少了多图案绘制中的重复步骤,提高了图案绘制的准确性,从而实现了更好的性能和更高的产量,并缩短了开发时间。

  三星电子还称,即将开始量产 DDR5,并预计最新的工艺将使生产率提高 20%,能耗降低近 20%。利用最新的 DDR5 标准,三星 14 纳米 DRAM 将帮助解锁前所未有的高达 7.2Gbps 的速度,这是 DDR4 速度的 2 倍多。

  三星电子高级副总裁兼 DRAM 产品与技术负责人 Lee Joo-Young 称:“通过专注关键的图形技术创新,我们已经引领了 DRAM 市场近 30 年。今天,三星用多层 EUV 实现了另一个技术里程碑,这是传统的氟化氩(ARF)工艺所不可能实现的壮举。”

  他补充说:“在这一进步的基础上,我们将继续提供差异化程度最高的内存解决方案,充分满足 5G、AI 和元宇宙等数据驱动型领域对更高性能和容量的需求。”(小小)

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