研究揭示对大脑进行有针对性的脉冲磁刺激可改善情景记忆

　　据外媒 New Atlas 报道，由格拉斯哥大学一个团队领导的新研究揭示了对大脑进行有针对性的脉冲磁刺激如何能改善情景记忆。这项工作发现，抑制左背外侧前额叶皮层的活动能增强记忆的形成。

　　这项新研究基于先前的一项研究，该研究提供了意想不到的发现。最初的调查是研究当一个人试图自愿忘记一条信息时，大脑中发生了什么。众所周知，记忆控制受到左背外侧前额叶皮层活动的影响，因此先前的研究正在分析是否可以通过刺激该特定的大脑区域来增强自愿遗忘。

　　在这之前的研究中，一个偶然的发现是，缓慢重复的经颅磁刺激实际上是通过抑制左背外侧前额叶皮层的活动来改善记忆表现。

　　“当我们在第一项研究中看到这些效果时，我们感到相当惊讶，因为这项研究旨在调查一个不同的问题，”新研究的作者 Simon Hanslmayr 解释说。“因此，我们需要在第二个实验中复制这些效果，看看这是否是真实的，事实上，这似乎是真实的。”

　　一些大学生被招募到后续实验中。每个参与者在两个场合完成了一系列的记忆任务–一次是在对他们的左背外侧前额叶皮层施加 1 赫兹的经颅磁刺激，然后第二次是在对大脑的一个控制区域施加同样的磁刺激。

　　与最初的实验一样，当左背外侧前额叶皮层的活动受到抑制时，记忆表现确实得到了改善。研究人员在观察参与者大脑的 EEG 活动时发现，磁刺激导致大脑顶叶区域的β波活动减弱。

　　研究人员目前提出的假设是，记忆“编码”可以通过抑制大脑顶叶区域的活动而得到加强，而这可以通过针对大脑特定额叶区域的磁刺激来实现。现阶段还不清楚的是这些不同的大脑区域究竟是如何连接和沟通的，但这项新研究的另一位作者 Mircea van der Plas 建议，更多的实验将有望回答这些问题。

　　“我们的电生理学结果表明，额叶刺激影响了一个更广泛的网络，并通过抑制顶叶区域来改善记忆的形成，”van der Plas 说。“这些是复杂但有趣的影响，需要进一步的实验来更好地了解它们的神经基础。”

　　这项新研究发表在《PLOS 生物学》杂志上。